현대차·기아 GaN 전력반도체 기술 확보…전기차 전력변환 핵심 내재화

이스라엘 질화갈륨 반도체 회사 투자
비스이크 'D³GaN' 기술 확보…차세대 전기차 인버터 효율 강화
GaN 전력반도체 기술로 전기차 주행 효율과 시스템 경량화 '기대'

[더구루=정예린 기자] 현대자동차와 기아가 전기차 주행거리 성능을 좌우하는 인버터 효율을 한 단계 끌어올리기 위해 질화갈륨(GaN) 전력반도체 기술 확보에 나섰다. 핵심 전력변환 기술을 직접 내재화, 플랫폼 고도화 등 차세대 전기차 경쟁력을 강화할 것으로 기대된다.

 

이스라엘 비스이크(VisIC Technologies, 이하 비스이크)는 10일(현지시간) 현대차와 기아가 2600만달러 규모로 마감된 시리즈B 라운드에 전략적 투자자로 참여했다고 발표했다. 현대차와 기아의 구체적인 투자 규모는 공개되지 않았다. 

 

현대차그룹은 이번 협력을 통해 전력변환 핵심 부품인 트랙션 인버터를 기존 실리콘(Si)과 실리콘카바이드(SiC) 중심 구조에서 GaN 기반으로 전환하는 발판을 마련했다. GaN 전력반도체는 스위칭 손실이 적고 고전압에서도 소형화·경량화가 가능해 같은 전력을 더 작은 모듈에서 처리할 수 있다. 이는 주행거리 향상, 원가 절감, 플랫폼 확장성 확대 등으로 이어질 수 있다.

 

전기차 파워 일체형 시스템과 고전압 아키텍처 설계 과정에서 핵심 부품을 자체적으로 최적화할 수 있는 기반도 갖추게 됐다. 기존 현대차와 기아 양산차에 적용되는 E-GMP 플랫폼 등 Si 또는 SiC 중심 아키텍처를 사용하는 차량에도 GaN 기술을 적용하면 경량화와 패키지 단순화가 가능, 장기적으로 차세대 플랫폼 설계 범위를 넓히는 효과를 기대할 수 있다.

 

비스이크는 기존 GaN 대비 신뢰성과 내구성을 보강한 D³GaN 기술을 보유하고 있다. D³GaN은 디바이스, 구조, 드라이버를 통합한 설계로 고전압·고전력 환경에서도 안정적인 스위칭과 신뢰성을 확보하며, 400V와 800V 전기차 플랫폼 모두에 적용할 수 있다.

 

시리즈B로 확보한 자금은 D³GaN 기반 양산 로드맵 가속화에 사용된다. 구체적으로 3세대 750V GaN 다이 및 전력 모듈 최적화와 검증, 출시를 진행하고, 4세대 1350V GaN 기술 개발을 병행한다. 아울러 고전압 전력 요구가 커지는 800V 데이터센터 전력 시스템으로의 적용 범위 확대도 추진할 계획이다.

 

2010년 설립된 비스이크는 고전압·고효율 GaN 전력반도체 개발을 전문으로 하는 기업이다. 전기차, 산업용 전력변환 장치, 데이터센터 전원 시스템 등에 제품을 공급해왔다. 자동차용 고신뢰성 기준을 만족하는 GaN 디바이스 개발을 핵심 사업으로 삼고 있으며, TSMC 파운드리 공정을 통해 제품을 생산한다.

 

타마라 박슈트 비스이크 최고경영자(CEO)는 "이번 투자는 비스이크와 글로벌 전기차 산업에 있어 중요한 이정표가 될 것"이라며 "전략적 파트너의 지원을 통해 차세대 모빌리티를 위한 고효율의 확장 가능한 솔루션을 제공하겠다는 당사의 목표를 더욱 빠르게 달성할 수 있게 돼 기쁘다"고 밝혔다. 

 

현대차와 기아 측은 "현대차와 기아는 지속 가능한 모빌리티를 발전시키기 위해 노력하고 있다"며 "비스이크와의 파트너십을 통해 최첨단 GaN 전력 기술을 당사의 전기차 플랫폼에 통합하여 효율성, 신뢰성 및 성능을 향상시키고 미래의 전기 운송을 선도해 나갈 수 있게 됐다"고 전했다. 









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