[더구루=정예린 기자] 국내 전력·전자제어 기술 전문기업 '이엔테크놀로지'가 '베트남의 삼성'이라 불리는 빈그룹과 전기차 충전 생태계에 합류한다. 베트남 진출 5개월여 만에 가시적인 성과가 나타나며 이엔테크놀로지의 해외 사업에 청신호가 켜졌다. 26일 빈그룹에 따르면 회사는 최근 이엔테크놀로지 파트너사인 베트남 국영 전력회사 '페트로베트남전력공사(PV Power)'와 전기차 충전 네트워크 구축을 위한 협력 계약을 체결했다. 이엔테크놀로지는 빈그룹 산하 전기차 충전 전문 업체 '브이그린(V-Green)'에 충전기를 공급한다. 이엔테크놀로지가 브이그린에 충전기를 납품하는 것은 페트노베트남전력공사가 이번 협력의 일환으로 베트남 전역에 전기차 충전소를 설치하는 프로젝트를 브이그린에 넘기기로 한 데 따른 것으로 보인다. 앞서 페트로베트남전력공사는 이엔테크놀로지와 함께 오는 2035년까지 전기차 충전소 1000곳을 마련한다는 목표를 세웠다. 브이그린은 목표 달성을 위한 속도를 높여 2025~2030년 내 1000개의 전기차 충전소를 확보한다는 방침이다. 빈그룹과 페트로베트남전력공사는 전국 규모의 전기차 충전소 시스템은 물론 에너지저장장치(ESS) 기반 옥상 태양광 발전
[더구루=정예린 기자] 국내 전력·전자제어 기술 전문기업 '이엔테크놀로지'가 베트남에 첫 전기차 충전소를 구축했다. 현지 정부와의 협력을 바탕으로 해외 전기차 충전 사업이 본격화되며 글로벌 영향력을 확대할 수 있을지 주목된다. 9일 업계에 따르면 이엔테크놀로지는 하노이 동다지구 탄콩 후인툭캉 거리에 전기차 충전기 2대를 설치해 시범 운영에 돌입했다. 지난 6월 국영 전력회사 페트로베트남전력공사(PV Power)와 체결한 에너지저장장치(ESS)·전기차 충전 네트워크 협력을 위한 양해각서(MOU) 일환이다. <본보 2024년 7월 2일 참고 이엔테크놀로지, 베트남 전기차 충전시장 진출> 신규 충전소는 약 30~35제곱미터(㎡) 규모 부지에 들어섰다. 충전소에는 충전 포트당 50~60킬로와트(kW) 용량의 충전 포트 2개를 갖춘 2개의 버티컬 충전기가 설치됐다. 투자 비용은 약 18억 동(약 9800만원) 이상이다. 1호 충전소를 시작으로 하노이 까우저이 등에도 충전 인프라를 구축한다. 향후 2년 간 시범 운영을 실시한다. 이후 프로젝트 효율성을 재평가한 뒤 오는 2035년까지 하노이를 포함한 베트남 전역에 전기차 충전소 1000곳을 마련한다는 목표다.
[더구루=진유진 기자] 프랑스 명품그룹 루이뷔통모에헤네시(LVMH)의 면세점 자회사 DFS그룹이 다음 달 홍콩 침사추이 이스트 매장을 폐점한다. 중국 본토 관광객의 방문·소비 부진이 장기화되면서 DFS가 홍콩 내 전략 거점을 재편하는 움직임으로 풀이된다. [유료기사코드] DFS는 지난 25일(현지시간) "오는 8월 31일을 끝으로 홍콩 침사추이 이스트 매장 영업을 종료한다"고 밝혔다. 이어 "침사추이 이스트점은 홍콩 사업 핵심 거점이었지만, 현재 시장 환경에선 칸톤로드와 코즈웨이베이 등 핵심 매장에 집중하는 것이 고객 만족도와 수익성 면에서 효과적"이라며 "홍콩은 여전히 본사가 있는 핵심 시장으로, 두 매장을 통해 고객 서비스를 이어가겠다"고 덧붙였다. 홍콩 침사추이 이스트 매장은 DFS의 홍콩 도심 면세 사업 핵심 거점으로 오랜 기간 동안 관광객 중심 리테일 전략을 대표해 왔다. 그러나 팬데믹 이후 중국 본토발 관광 수요가 급감하고, 단체 관광보다 개별 여행 트렌드가 강해지면서 매장 운영 효율이 급격히 떨어졌다는 것이 업계 평가다. DFS의 철수는 홍콩에 국한된 것이 아니다. DFS는 오세아니아(호주 시드니, 뉴질랜드 오클랜드·퀸스타운) 매장을 오는 9월
[더구루=정예린 기자] 키옥시아가 차세대 고성능 낸드플래시 신제품을 선보인다. 기존 기술 자산을 활용하면서도 성능과 전력 효율을 동시에 끌어올려 인공지능(AI) 시스템과 엔터프라이즈향 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장에서 경쟁력을 강화할 것으로 기대된다. [유료기사코드] 28일 키옥시아에 따르면 회사는 최근 자사 3D 낸드 기술 '9세대 BiCS 플래시(BiCS FLASH)'를 적용한 512Gb(기가비트, 64기가바이트 상당) 용량의 TLC(Triple-Level Cell) 낸드 샘플링을 시작했다고 발표했다. 연내 본격 양산할 예정이다. 신제품은 5세대 셀 구조 기반 위에 최신 CMOS 회로를 직접 결합하는 'CMOS 직접 본딩 어레이(CBA)' 기술이을 적용해 고속 연산 환경에서의 쓰기 및 읽기 성능, 전력 효율을 개선한 것이 특징이다. 회로와 셀을 물리적으로 접합해 고밀도 집적과 고속 데이터 처리를 동시에 실현할 수 있도록 설계됐다. 기존 동일 용량 대비 쓰기 성능은 61%, 읽기 성능은 12% 향상됐고, 전력 효율은 쓰기 기준 36%, 읽기 기준 27% 개선됐다. 데이터 전송 속도는 초고속 낸드 인터페이스 규격인 토글(Toggle) DDR 6.0에서