[더구루=김예지 기자] 삼성전자가 미국 내 첫 반도체 생산 거점인 텍사스 오스틴 공장에 차세대 제조 장비를 전격 도입하며 '포스트 30년'을 향한 대대적인 설비 고도화에 착수한다. 이달 초 설립 30주년 기념식에서 '현상 유지에 안주하지 않는 혁신'을 선언한 직후, 노후 시설 현대화와 첨단 공정 전환을 위한 실질적인 장비 반입 단계로 접어들며 북미 반도체 시장 제패를 위한 공세적인 행보를 보이고 있다.

30일 텍사스 면허규제국(TDLR)에 따르면 삼성전자 오스틴 반도체(SAS) 법인은 최근 총 248만 1700달러(약 37억원) 규모의 설비 개보수 및 장비 설치 프로젝트 3건을 당국에 등록했다. 이번 프로젝트는 오스틴 공장의 핵심 라인인 '팹2(Fab 2)'를 중심으로 진행되며, 공정 운영에 필요한 특수 가스 공급 장치와 정밀 제어 시스템 확충을 골자로 한다.

업계에서는 이번 설비 확충을 삼성 오스틴 법인이 추진 중인 약 19억 달러(약 2조 8000억원) 규모의 현대화 프로젝트의 일환으로 보고 있다. 특히 이달부터 본격화된 애플 아이폰용 차세대 CMOS 이미지센서(CIS) 생산과 글로벌 인공지능(AI) 반도체 수요 증가에 따른 생산능력(Capa) 확보 차원으로 풀이된다.

상세 내역을 살펴보면, 첫번째로 삼성은 약 168만 달러(약 25억원)를 투입해 1만 3125제곱피트(약 1220㎡) 규모의 공간에 8대의 신규 '테오스(TEOS) DTLR' 장비와 전송 라인을 설치한다. TEOS는 반도체 절연막 형성에 사용되는 핵심 소재다. 관련 장비 확충을 통해 고성능 칩 생산을 위한 미세 공정 대응력을 높일 계획이다.

두번째 프로젝트는 약 16만 달러(약 2억원) 규모의 정밀 제어 시스템 보강 작업이다. 공정 운영의 안정성을 극대화하기 위해 원격 전력 제어 시스템(eV controller)과 이에 최적화된 히터 블랭킷을 추가로 설치하고 배선 작업을 진행한다.

마지막 세번째 프로젝트는 '팹2' 동쪽 벙커에 약 65만 달러(약 10억원)를 들여 '육불화텅스텐(WF6)' 가스 캐비닛 2개를 신설한다. 이는 반도체 배선 공정에 사용되는 특수 가스 공급 능력을 보강하기 위한 것이다. 오는 7월 말 완공될 예정이다.

이번 장비 반입은 성숙 공정의 효율성을 극대화하는 한편, 향후 최첨단 2나노 공정을 앞세운 테일러 신공장 가동에 앞서 기존 오스틴 라인의 제조 경쟁력을 유지하기 위한 전략적 행보로 분석된다.