'D램 반등·AI 훈풍' 삼성 반도체 실적 개선 자신

삼성전자 DS 1분기 적자 4조3600억원
낸드 중심으로 감산
내년 HBM 생산량 두 배 확대

 

[더구루=오소영 기자] 삼성전자가 하반기 반도체 사업의 실적 개선에 기대감을 내비쳤다. D램 가격이 반등하고 인공지능(AI) 시장이 급속도로 성장해서다. 고대역폭메모리(HBM)와 게이트올어라운드(GAA) 기술 등을 토대로 AI 호재를 잡겠다는 전략이다. 

 

삼성전자는 올해 2분기 연결 기준 매출 60조100억원, 영업이익 6700억원을 기록했다고 27일 발표했다. 전년 동기 대비 매출은 22.28%, 영업이익은 95.26%나 줄었다. 메모리 업황이 부진하며 삼성전자의 실적 견인차였던 디바이스솔루션(DS) 부문은 4조3600억원의 영업손실을 냈다.

 

이날 삼성전자는 실적발표 컨퍼런스콜에서 "D램과 낸드플래시 재고가 지난 5월 피크아웃(정점 후 하락)에 진입한 것으로 확인했다"고 밝혔다. D램 가격은 반등이 예상되는 반면 낸드는 가격 변화에 시간이 걸릴 전망이다. 이를 반영해 낸드를 중심으로 감산을 추진한다.

 

생성형 AI 시장 성장은 삼성에 기회다. 삼성전자는 "대규모 데이터 처리를 지원하는 고성능 메모리, 특히 HBM 수요가 빠르게 늘 것으로 예상된다"라며 "향후 5년 동안 연평균 30% 중후반의 성장률을 보일 것"이라고 관측했다.

 

삼성전자는 올해 이미 전년 대비 2배 수준인 10억 기가비트(Gb) 중반 이상의 주문을 받았다. 향후 수주 확대에 대응해 내년 생산량을 올해 대비 2배 이상 늘린다.

 

삼성전자는 "당사는 HBM 시장의 선두"라며 향후 시장 선점에 자신감을 표했다. HBM3의 경우 8단 16기가바이트(GB)와 12단 24GB 제품을 클라우드 업체 등에 제공했다. HBM3P 제품도 하반기 출시 예정이다.

 

또한 삼성은 HBM3에 '논컨덕티드필름(NCF)'를 적용했다. 삼성전자는 "HBM은 고속 동작하는 특성상 발생 열을 밖으로 잘 방출하도록 칩 간극을 줄이는 게 중요한데 NCF는 이에 효과적"이라고 설명했다.

 

AI 시장에 대응한 제품 포트폴리오도 확대 중이다. 삼성전자는 지난 5월 2나노급 16Gb DDR5에 이어 32Gb DDR5를 연내 출시하고, 온디바이스 AI에 특화된 LLW D램을 개발한다. 삼성전자는 "LLW는 저전력 특성과 함께 기존 LPDDR 대비 고대역폭이라 기기 데이터를 실시간으로 처리할 수 있다"며 "2024년 말 양산이 목표"라고 부연했다.

 

파운드리 사업은 GAA 공정을 앞세운다. 삼성전자는 "AI 칩이 고성능과 높은 에너지 효율을 필요로 하는 만큼 세계 최초로 GAA 공정으로 3나노 양산에 성공한 삼성 파운드리가 최적화된 선단 공정을 제공할 수 있다"며 "2025년 2나노 공정 제품 양산으로 AI칩 시장을 선도하겠다"고 강조했다.

 

모바일 사업은 폴더블폰 시장의 성장세에 힘입어 실적 확대에 나선다. 삼성전자는 전날 '갤럭시 언팩' 행사에서 공개한 갤럭시Z플립5·폴드5에 대해 "거래선과의 마케팅 협업을 강화해 출시 초부터 확실한 판매 호조를 이끌어내겠다"고 말했다. TV는 83·77인치 등 초대형 올레드(OLED) TV를 추가하고 대형·프리미엄 제품을 중심으로 사업을 전개한다.

 










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