[더구루=정예린 기자] 삼성이 중국에서 핵심 사업군인 '반디배(반도체·디스플레이·배터리)' 관련 차세대 기술 특허를 대거 확보했다. 국내 파트너사들과의 연구개발(R&D) 파트너십 성과를 현지 시장에 빠르게 적용, 기술 우위를 기반으로 글로벌 경쟁력을 강화한다. 

2일 중국지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난달 삼성전자, 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기 등이 2018년부터 올 8월까지 출원한 특허 570건을 승인했다. 이는 작년 같은 달(502건) 대비 약 13.5% 증가한 수치다.

승인 절차는 8일에 걸쳐 이뤄졌다. 삼성전자가 관계사 중 가장 많은 275건의 특허를 확보했다. △삼성디스플레이(209건) △삼성SDI(71건) △삼성전기(14건) △삼성E&A(1건) 등이 뒤를 이었다.

삼성전자는 공정 장비·소재 기업과의 공동 개발 성과가 두드러졌다. 반도체 장비 자회사 '세메스(SEMES)'와 함께 개발한 '기판 접합 장치(특허번호 CN120998803A)'는 미세 공정에서 양면·다층 구조를 안정적으로 결합하기 위한 장비 설계 개선 기술로, 고집적 패키징과 첨단 적층 공정의 정밀도를 높여준다. 국내 소재 기업 '디엔에프(DNF)'와는 '루테늄 함유 박막 제조 방법(특허번호 CN120898025A)'이라는 제목의 특허를 출원했다. 금속 배선의 신뢰도를 높이기 위한 박막 증착 기술로, 차세대 공정에 필요한 대체 금속 라인업을 마련했다는 점에서 의미가 있다.

삼성전자와 삼성디스플레이가 공동 확보한 '반도체 나노입자 제조 방법 및 이를 포함한 발광 소자(특허번호 CN120904896A)'는 나노입자 단계에서 개발된 소재 기술을 실제 제조 공정에 적용할 수 있도록 설계됐다. 이를 통해 발광 효율을 높이고 색재현력을 개선할 수 있어 차세대 OLED·마이크로LED 등 디스플레이 장치의 화질 향상과 생산 안정성 확보를 지원할 것으로 기대된다.

삼성전자는 이밖에 메모리·차세대 디스플레이·확장현실(XR) 구조 관련 특허를 손에 넣었다. '게이트 컷 패턴을 포함하는 3차원 반도체 소자(CN120980949A)'는 메모리 안정성을 높이고 고집적 설계를 지원하며, 폴더블 구조 관련 '힌지 장치를 포함하는 전자기기(CN121039598A)'는 다양한 폼팩터 확장에 필요한 기구적 기반 기술을 제공한다.

'XR을 위한 하이브리드 자동 재전송 요구(HARQ) 모드 및 DRX 타이머 동작 방법(특허번호 CN120937480A)'은 XR 기기의 실사용 환경에서 데이터 전송 안정성과 전력 효율을 동시에 개선하는 기술이다. 최근 삼성전자가 '갤럭시 XR' 헤드셋을 출시한 것과 맞물려 실제 제품 성능을 높이기 위한 핵심 기술 확보로 평가된다.

삼성디스플레이의 특허는 패널 제조에서 가장 중요한 증착·에칭·품질 분석 장비에 집중됐다.  '증착원 및 이를 포함하는 증착 장치(특허번호 CN121023431A)'는 유기물 증착의 균일도를 개선하며, '양자점 분석 방법(특허번호 CN120953050A)'은 소재 분광 특성을 신속하게 측정해 패널 균일도와 생산 수율 관리에 활용된다. '플라즈마 에칭 장치(특허번호 CN120933145A)'와 '스크린 인쇄 장치 및 투명 패널(특허번호 CN120886552A)' 관련 기술도 포함돼 생산 효율과 패널 품질 향상을 동시에 겨냥했다.

삼성SDI는 고에너지밀도 배터리 기술 관련 특허가 중심이었다. '음극이 없는 리튬 금속 배터리용 전해질 및 배터리(특허번호 CN121014134A)'는 안정성 확보가 어려운 리튬 금속계의 핵심 요소인 전해질 설계를 구체화했다. '비정상 배터리 셀 분류 장치(특허번호 CN120920377A)'는 자동 선별 시스템으로 대량생산 라인의 품질과 안전성을 높인다. '전기차용 배터리 시스템 조립 기술(특허번호 CN120914431A)'도 포함돼 전기차 고성능 배터리 개발에 기여할 전망이다.

삼성전기는 '광시야 이미징 렌즈 시스템(특허번호 CN120993597A)', '반사 모듈 및 카메라 모듈(특허번호 CN120972342A)' 등 모바일·전장용 카메라 핵심 부품 관련 특허를 확보했다. 이미지 품질과 광축 안정성을 높이는 광학 구조 설계가 다수 포함돼 카메라 모듈 성능 향상과 장치 소형화에 도움을 줄 것으로 예상된다.