[더구루=정예린 기자] 미국 정부가 글로벌파운드리에 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발을 위한 대규모 자금을 지원한다. 글로벌파운드리는 정부 지원에 힘입어 고성장이 예상되는 차세대 반도체 시장 공략에 속도를 낼 수 있게 됐다.
22일 글로벌파운드리에 따르면 회사는 최근 미국 연방정부로부터 질화갈륨-온-실리콘(GaN-on-Silicon) 반도체 개발·생산을 촉진하기 위한 3000만 달러(약 억원) 규모 기금을 확보했다. 버몬트주 에섹스 정션에 위치한 생산시설에서 연구개발 프로젝트를 수행할 예정이다.
글로벌파운드리는 정부 자금을 필요한 설비를 구매하고 공정 기술을 고도화하는 데 사용할 계획이다. 이를 통해 GaN 공정 기술을 기존 팹에 통합하고, 200mm GaN 웨이퍼 제조 개발·구현을 확장할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
이번 자금 지원은 미 국방부의 TAPO(Trusted Access Program Office) 프로그램 일환이다. TAPO는 국방부가 미국의 기술 우위를 유지하는 데 필요한 고전력·고주파 장치에 적합한 반도체를 제공하는 공급업체를 확보하기 위한 자금 지원 정책이다.
GaN 전력반도체는 기존 실리콘 반도체에 비해 열에 강해 고전압에서 잘 버틴다. 전력모듈에 필요한 냉각장치를 최소화할 수 있어 시스템의 소형화·경량화를 가능케 한다. 전력을 75% 덜 소비해 높은 효율을 자랑하며 성능도 우수하다. 스마트폰 고속충전기와 5G, 가전, 전기차, 태양광 등에 활용되며 시장이 급성장하고 있다.
시장조사업체 욜디벨롭먼트는 GaN 전력반도체 시장이 매년 70%씩 성장할 것으로 예상했다. 지난해 4600만 달러에서 오는 2026년 11억 달러 규모로 확대될 전망이다.
토마스 콜필드 글로벌파운드리 최고경영자(CEO)는 "새로운 연방 자금과 2023년 연방 예산에 대한 추가 지원 가능성을 통해 글로벌파운드리는 버몬트에서 GaN 칩 제조의 글로벌 리더가 될 수 있는 좋은 위치를 확보했다"고 전했다.
