[단독] 中창신메모리 D램, 고객사 '품질테스트' 통과…韓 추격 시작

롱지스 전자 스토리지 제품에 탑재

 

[더구루=오소영 기자] 중국 창신메모리가 현지 스토리지 제조업체에 D램을 본격 납품한다. 내수 시장을 중심으로 고객사를 빠르게 늘려가며 삼성전자와 SK하이닉스가 점령한 메모리 반도체 시장에서 두각을 나타낼 수 있을지 주목된다.

 

12일 업계에 따르면 창신메모리는 롱지스 전자(Longsys Electronics Co. Ltd)의 품질 테스트를 통과했다. 이로써 롱지스 전자에 본격적으로 D램을 공급하게 됐다. 롱지스 전자는 해당 D램을 탑재한 스토리지 제품 3종을 현지 시장에 출시할 예정이다.

 

창신메모리는 2016년 5월 중국 안후이성 허페이에 연구개발(R&D) 센터와 생산시설을 짓고 D램 시장에 뛰어들었다. 설비 투자액만 약 25조원에 달한다. 이후 작년 9월부터 D램 양산을 시작했다. 월간 기준 웨이퍼 2만장 규모로 19나노 수준으로 알려졌다.

 

창신메모리는 올해 2월 중국 업체 중에 처음으로 D램 양산·판매를 공식 선언했다. 온라인과 도매상 등을 중심으로 노트북과 컴퓨터에 사용되는 8GB DDR4, 스마트폰에 탑재되는 4GB LPDDR4X를 판매했다.

 

창신메모리는 롱지스 전자와의 공급 계약을 기점으로 고객사를 확대하고 메모리 반도체 시장에서 저변을 넓힐 것으로 보인다. 당장은 기술 격차가 벌어진 만큼 국내 업계에 큰 위협이 되지 않지만 창신메모리의 D램 공급이 현실화되면서 중국의 반도체 굴기가 가시적인 성과를 내고 있다는 분석이 나온다.

 

중국은 2025년까지 반도체 자급률을 70%로 끌어올리고자 170조원의 투자 계획을 밝혔다. 성과도 나오고 있다. 양쯔메모리(YMTC)는 128단 낸드플래시 개발에 성공했다. 이르면 올 연말 양산에 돌입할 예정이다.

 

창신메모리는 올 연말 17나노 D램 양산을 시작한다. 계획이 현실화되면 삼성전자와의 기술 격차는 3년으로 좁혀진다. 극자외선(EUV) 공정 도입도 검토하고 있다. 핑얼슈안 CXMT 부사장 겸 기술책임자는 작년 9월 "EUV 공정 개발을 위해 외국 업체와도 협력할 것"이라고 밝힌 바 있다.

 

현재 메모리 반도체 시장은 한국 업체들이 절반 이상을 장악하며 압도적인 우위를 보이고 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스의 지난해 D램 매출은 437억4700만 달러(약 49조원), 294억900만 달러(약 33조원)에 이른다. 양사의 합계 점유율은 73.4%를 기록했다. 낸드플래시 시장에서도 삼성전자와 SK하이닉스가 45.6%를 차지했다.

 










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