중국, '세계 최소' 강유전체 트랜지스터 구현…삼성전자·SK하이닉스 바짝 추격

1나노 게이트·0.6V 구동…로직-메모리 전압 장벽 허문 FeFET 구조 제시
대중국 규제 속 '기초 소자'로 우회…中, 강유전체 트랜지스터 경쟁 본격 가세

[더구루=정예린 기자] 중국이 게이트 길이 1나노미터(nm)의 벽을 깨는 '세계 최소' 강유전체 트랜지스터를 구현하며 차세대 인공지능(AI) 반도체 시장의 '게임 체인저'로 부상했다. 이는 미국의 반도체 규제 속에서도 중국이 기술 자립을 위한 우회로를 성공적으로 찾아내고 있음을 보여준다. 첨단 공정 장비 수급이 막힌 중국이 기존 실리콘 방식 대신 신소재와 기초 소자 구조 연구에 집중하며 '포스트 실리콘' 시대의 원천 기술을 선점하려는 전략적 움직임이 연구 성과로 이어진 셈이다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업이 주도권을 쥐고 있는 강유전체 분야에서 중국이 기초 소자 단계의 연구 성과를 내놓으면서, 중장기 기술 주도권을 둘러싼 한·중 경쟁이 한층 격화될 전망이다.


해당 콘텐츠는 유료 서비스입니다.

  • 기사 전체 보기는 유료 서비스를 이용해주시기 바랍니다. (vat별도)
  • 해당 콘텐츠는 구독자 공개 콘텐츠로 무단 캡처 및 불법 공유시 법적 제재를 받을 수 있습니다.







배너

K방산

더보기




더구루인사이트

더보기