[더구루=오소영 기자] 중국계 반도체 회사 넥스페리아가 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 시장에 본격 가세한다. 내년부터 650V급 제품을 생산하고 라인업을 확대한다.
11일 업계에 따르면 넥스페리아는 650V SiC 쇼트키 다이오드를 선보였다.
SiC는 실리콘 반도체 대비 강도는 10배, 열전도율은 3배 이상 높은 전력 반도체 소재다. 고전압과 고열에 잘 견뎌 차세대 소재로 주목받고 있다.
넥스페리아가 출시한 제품은 10A로 태양광 인버터와 배터리 충전 인프라, 컨버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS) 등 다양한 산업용 애플리케이션에 활용된다. 내년 2분기부터 생산된다.
넥스페리아는 향후 650V·1200V 수준에서 6~20A를 제공하는 제품을 추가로 개발할 계획이다. 총 72개 제품군을 갖춰 시장을 본격 공략한다.
쇼트키 다이오드는 금속과 반도체의 접촉면에 생기는 장벽의 정류 작용을 이용한 다이오드다. 고속 동작이 가능하고 전력 효율이 높은 장점을 지닌다. 전력 밀도와 효율성이 향상된 고전력 애플리케이션에 대한 수요가 증가하면서 관련 시장이 커지고 있다.
넥스페리아 측은 "질화 갈륨과 실리콘 카바이드 기반의 와이드 밴드갭 반도체는 고용량 애플리케이션의 엄격한 니즈를 충족하기에 적합하다"며 "넥스페리아의 다양한 SiC 다이오드 포트폴리오는 시장에 더 많은 선택지를 제공할 것"이라고 밝혔다.
한편, 넥스페리아는 중국 모바일 단말기 제조회사인 윙크테크놀로지가 지분 100%를 보유한 반도체 회사다. 네덜란드에 기반을 두며 최근 영국 파운드리 회사 뉴포트웨이퍼팹(Newport Wafer Fab, 이하 NWF)을 인수하며 세를 불리고 있다.
