[더구루=정예린 기자] 삼성전자가 4월 중국에서 300건 이상의 특허를 추가로 확보하며 기술 경쟁력을 강화하고 있다. 특히 인공지능(AI) 기반 연산 및 반도체 공정 기술을 비롯해 확장현실(XR) 등 차세대 핵심 분야를 중심으로 특허 출원과 승인이 집중되며, 글로벌 기술 선점을 위한 포석이라는 평가가 나온다. 국내외 학계 및 중소기업과의 공동 개발도 확대되고 있는 점도 주목된다.

6일 중국 국가지식산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난 4월 한 달간 삼성전자, 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기, 삼성메디슨이 2019년부터 2024년 말까지 출원한 특허 613건을 승인했다. 작년 같은 기간(761건)보다 약 19% 감소한 수치다. 

삼성전자는 단독으로 311건을 확보하며 계열사 중 가장 많은 수를 기록했다. 이어 △삼성디스플레이(176건) △삼성전기(69건) △삼성SDI(56건) △삼성메디슨(1건) 순이었다. 삼성전자와 삼성디스플레이는 전체 승인 특허의 약 80% 이상을 차지했다.

삼성전자는 올해 출시를 앞둔 XR 헤드셋 등에 관련된 특허가 다수 포함됐다. '확장현실(XR) 서비스의 전력 절약을 관리하기 위한 방법 및 무선 네트워크(특허번호 CN119817146A)', '착용형 전자 장치 및 착용형 전자 장치를 이용하여 제어기를 식별하는 방법(특허번호 CN119816798A)', '헤드마운트디스플레이(HMD) 장치 착용 시 디스플레이 방법 및 장치(특허번호 CN119768763A)' 등이다. 대부분 기기의 활용성과 사용자 경험을 개선하는 기술들로, 하드웨어보다는 기능·소프트웨어적 접근에 무게를 실은 모습이다.

인공지능(AI) 기반 연산 및 반도체 공정 기술과 차세대 배터리 관련 특허도 대거 확보됐다. 특히 고대역폭 메모리(HBM) 등 차세대 메모리를 활용해 연산 효율을 높이는 방법, 고밀도 패키징, 열 관리를 포함한 공정 기술이 눈에 띈다. '고성능 컴퓨팅을 위한 시스템온칩 설계(특허번호 CN119808181A)', '강유전체 전계효과 트랜지스터, 메모리소자 및 신경망소자(특허번호 CN119855191A)' 등이 대표적이다.  또 영국 왕립학회, 캐나다 맥길대학교와 공동으로 '고체 전해질, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 이차전지(특허번호 CN119812446A)'를 개발했다. 

지난달에는 국내외 대학, 중소기업, 협력사들과의 공동 개발 성과가 폭넓게 포함됐다. 단독 기술 축적을 넘어 생태계 중심의 기술 경쟁력 강화 전략으로 해석된다.

삼성SDI는 전고체 배터리 기술에 집중했다. 울산과학기술원(UNIST)과 함께 출원한 '2차전지 변형 분석 방법 및 장치(특허번호 CN119826743A)'를 비롯해 고체전해질 조성물, 충돌 감지 기반 열폭주 방지 기술, 차세대 배터리팩 설계 등이 주요 특허로 승인됐다. 차세대 배터리 양산 준비와 함께 중국 내 특허 방어 체계도 강화하는 모습이다.

삼성전기는 전고체·고체산화물 전지 소재 관련 기술과 소형화된 코일, 카메라 모듈, 반도체 패키징 등 부품 기술 중심으로 특허를 확보했다. 특히 지난달에는 '전고체전지(특허번호 CN119866568A)' 등 전고체 배터리의 기반이 될 특허를 다수 승인받았다. 삼성메디슨은 연세대학교와 공동으로 초음파 영상 기술 특허를 개발했다.