[더구루=오소영 기자] 일본 후지전기와 덴소가 약 2116억엔(약 2조원)을 쏟아 실리콘 카바이드(SiC) 전력반도체 증설에 나선다. 일본 정부로부터 투자금의 약 3분의 1에 해당하는 705억엔(약 6600억원) 상당 보조금을 받는다. 정부의 지원에 힘입어 차세대 전력반도체 시장을 잡는다. 7일 일본 경제산업성(METI)과 니케이엑스테크 등 외신에 따르면 후지전기와 덴소는 총 2116억엔을 투자한다. 후지전기는 2027년 5월까지 마쓰모토 공장에 연간 8인치 SiC 전력반도체 31만 개, SiC 에피택셜 웨이퍼 24만 개를 생산할 능력을 갖춘다. 덴소는 이나베에 SiC 웨이퍼 6만 개, 코타에 SiC 에피택셜 웨이퍼 10만 개의 생산능력을 확보해 2026년 9월부터 공급한다. 양사는 METI로부터 최대 705억엔을 지급하기로 결정했다. 이번 투자로 일본의 SiC 전력반도체 공급량은 증가할 전망이다. SiC 전력반도체는 실리콘(Si)과 탄소(C)로 구성된 화합물 반도체다. 기존 Si 반도체와 비교해 단단하고 열에 강하다. 높은 전압에서도 동작이 가능해 전기차와 에너지저장장치(ESS), 인공지능(AI) 등 여러 응용처에 활용된다. 시장조사업체 QY리서치코리아에
[더구루=오소영 기자] 일본 경제산업성이 2030년까지 반도체 매출액을 140조원 이상으로 확대한다. △일본 내 제조 거점 확보 △설계 기술 개발 △양자컴퓨터 등 반도체가 쓰일 미래 기술 연구를 핵심 과제로 선정했다. 6일 대한무역투자진흥공사(KOTRA·코트라) 도쿄무역관에 따르면 일본 경제산업성은 2021년 6월 '반도체·디지털산업 전략'을 수립했다. 경제산업성은 디지털 인프라, 디지털 산업과 함께 반도체를 핵심 기술 요소로 설정했다. 국내 반도체 매출액을 현재 5조엔(약 49조원)에서 2030년 15조엔(약 149조원)으로 높이겠다는 목표 아래 크게 세 가지 단계로 로드맵을 짰다. 1단계로 일본 내 반도체 생산기반을 강화한다. 이를 위해 일본 덴소와 소니 반도체 솔루션, 대만 TSMC가 합작사 'JASM(Japan Advanced Semiconductor Manufacturing)'을 출범했다. JASM은 일본 정부로부터 최대 4760억엔(약 5조원)의 보조금을 받고 구마모토현에 공장을 건설 중이다. 2024년 12월부터 양산할 것으로 예상된다. 1공장은 소니의 이미지센서에 들어갈 28나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정 기반의 반도체, 2공장은 자동차에
[더구루=정예린 기자] 테슬라가 중국에서 1000번째 대용량 에너지저장장치(ESS) '메가팩'을 생산하며 조기 양산 체계 안착이라는 이정표를 세웠다. 빠르게 안정화된 생산 역량은 아시아를 넘어 유럽으로의 공급 확대는 물론, 글로벌 ESS 시장에서 테슬라의 입지를 더욱 강화하는 발판이 될 것으로 기대된다. [유료기사코드] 31일 테슬라 중국법인에 따르면 회사는 지난 29일(현지시간) 공식 웨이보 계정을 통해 상하이에 위치한 '메가팩토리'에서 1000번째 메가팩 생산을 완료하고 유럽 수출을 위한 출하 준비를 마쳤다고 밝혔다. 첫 양산을 시작한 이후 불과 6개월여 만에 이룬 성과다. 1000번째 메가팩 생산은 단순한 누적 생산 수치를 넘어 상하이 공장의 양산 체계가 빠르게 안정화됐음을 방증한다. 전체 기간을 기준으로 환산하면 월평균 생산량은 약 188대 수준이지만, 생산 초기 안정화 기간을 감안하면 최근에는 월 300대에 근접하는 생산 속도를 기록했을 가능성이 높다. 상하이 메가팩토리는 테슬라가 미국 외 지역에 처음으로 구축한 ESS 전용 생산기지다. 작년 5월 약 20만㎡ 부지에 착공, 9개월 만인 올해 2월 본격 가동에 돌입했다. 총 투자비는 약 14억5000
[더구루=홍성환 기자] 미국 양자컴퓨터 기업 디웨이브 퀀텀(D-Wave Quantum)이 차세대 극저온 패키징(후공정) 기술 개발에 착수했다. [유료기사코드] 디웨이브는 31일 차세대 극저온 패키징에 중점을 둔 새로운 전략 개발 이니셔티브를 발표했다. 미국 항공우주국(나사·NASA) 제트추진연구소(JPL)과 손잡고 이를 추진할 예정이다. 디웨이브는 JPL의 반도체 범프 본딩(Bump bonding) 기술을 활용해 반도체 간 엔드 투 엔드(End-to-End·일괄 처리) 초전도 상호 연결을 시연했다. 범프 본딩은 반도체 패키징의 하나로, 웨이퍼 내 칩 전극에 돌기 형태 범프를 형성하는 공정이다. 범프는 기판과 회로를 전기적으로 연결하는 것이다. 극저온 패키징은 반도체 칩을 극저온 환경에서 처리하는 후공정 기술을 말한다. 특히 양자칩 후공정은 초저온 작동 호환성, 매우 낮은 자기장, 완전한 초전도 상호 연결 등을 포함해 다양한 요구사항이 수반된다. 양자컴퓨터의 핵심 구성 요소인 큐비트(양자컴퓨터 기본 연산 단위)는 외부 환경의 미세한 변화에 민감하게 반응하기 때문에 철저한 노이즈 차단과 안정된 작동 환경이 필요하다. 초전도 큐비트나 스핀 큐비트를 포함한 대부분의