삼성전자 '최초 개발' 차세대 D램 'GDDR7' 공식 데뷔 임박...세부 스펙 첫 등장

삼성반도체 공식 홈페이지에 GDDR7 세부 스펙 공개
'양산 직전 단계' 샘플링 중…엔비디아 등 공급 전망
시장 선점 위한 행보…업계 최초 '개발' 이어 '출시'까지

[더구루=정예린 기자] 삼성전자가 업계 최초 개발한 차세대 D램 'GDDR7'의 공식 데뷔가 임박했다. 샘플링이 마무리되는 대로 대량 양산해 고객사에 본격 공급을 개시할 전망이다. 

 

27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 '삼성반도체 글로벌 공식 홈페이지'에 GDDR7 D램 2개 제품 스펙와 양산 진행 현황 등이 담긴 페이지를 오픈했다. 앞서 공언한 올 상반기 출시 목표에 한 발 더 다가선 셈이다. 

 

삼성전자가 공개한 제품은 28Gbps(기가비피에스)와 32Gbps의 속도를 갖춘 16GB GDDR7 D램 2종이다. 각각 K4VAF325ZC-SC28와 K4VAF325ZC-SC32라는 고유 식별번호가 부여됐다. 두 제품 모두 32비트 폭의 와이드 버스 인터페이스와 266 FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array) 패키징을 채택했다. 재생률(Refresh rate)은 16K/32ms 수준이다. 

 

현재 제품 상태는 '샘플링' 중으로 명시돼 있다. 통상 메모리 반도체는 △개발 △샘플링 △양산 등 3개 단계를 거친다. 샘플링은 대량 생산 직전 단계를 의미한다. 샘플링을 거쳐 양산에서 합격점을 받으면 주요 고객사인 엔비디아와 AMD 등에 납품해 이들의 차세대 GPU(그래픽처리장치)에 장착된다. 

 

아직 양산 단계에 진입하지 않은 제품 라인업을 공식 홈페이지에 추가하며 대외적으로 알리기에 나선 것은 이례적이다. 경쟁사인 SK하이닉스가 GDDR7 D램 분야에서 앞서 있다는 평가를 받는 삼성전자를 바짝 추격해오자 이에 대응하고 견제하기 위한 행보로 풀이된다. 

 

실제 SK하이닉스는 지난달 미국 샌프란시스코에서 열린 '국제 전기전자공학자협회 고체회로학회(IEEE ISSCC)'에서 GDDR7을 최초로 선보인 데 이어 이달 엔비디아가 미국 캘리포니아에서 개최한 'GTC(GPU Technology Conference) 2024'에서 40Gbps 속도의 GDDR7 D램을 공개했다. 삼성전자가 구현한 최대 속도인 37Gbps보다 높은 수치다. <본보 2024년 1월 30일 참고 [단독] SK하이닉스 '최초 공개' GDDR7 D램…양산 두고 삼성전자와 '속도 경쟁'>

 

삼성전자는 IEEE ISSCC에서 16GB 37Gbps GDDR7 D램을 활용해 'PAM3 신호 방식'에 대한 기술을 발표했다. 이전까지 알려진 삼성전자 GDDR7 D램의 최고 속도는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 32Gbps였다. 다만 속도를 추가 개선한 SK하이닉스와 달리 삼성전자는 GTC에서 작년 GDDR7 개발 성공 소식을 알리며 공개한 32Gbps 속도의 제품을 선보였다. <본보 2024년 1월 29일 참고 삼성전자, '초당 1.5TB 데이터' 차세대 D램 GDDR7 연내 출시 '속도'>

 

삼성전자와 SK하이닉스 모두 올 상반기 내 GDDR7 D램 양산·출시라는 목표를 제시했다. 양산 로드맵이 겹치며 고객사 모시기 경쟁도 더욱 치열해질 전망이다. 삼성전자와 SK하이닉스 외 마이크론도 GDDR D램을 공급하지만 기술적인 면에서 우리 기업들보다 뒤쳐져 있는 것으로 전해진다. 

 

GDDR7 D램은 향상된 고성능·저전력 특성을 갖춘 제품이다. 동영상·그래픽 처리에 특화돼 GPU(그래픽처리장치)에 주로 쓰인다. 인공지능(AI) 칩 부품인 고대역폭메모리(HBM) 대비 성능은 떨어지지만 개인이 이용하는 게임용 GPU에는 대부분 GDDR이 사용된다. GPU를 넘어 AI, 고성능컴퓨팅(HPC), 자율주행차 등으로 활용처도 넓어지고 있다. 










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