[더구루=오소영 기자] 삼성전자가 시놉시스의 반도체 설계자동화(EDA) 툴을 3나노미터(nm·10억분의 1m) GAA(Gate-All-Around) 공정에서 검증했다. 내년 GAA 기반 3나노 반도체 생산을 앞두고 선제적으로 파운드리 생태계를 구축하며 대만 TSMC를 바짝 추격한다.
시놉시스는 28일(현지시간) "삼성전자와 3나노 GAA 기술로 파트너십을 확대한다"고 밝혔다.
삼성전자는 시놉시스의 EDA 툴인 '퓨전 디자인 플랫폼(Fusion Design Platform™)'을 3나노 GAA 공정에 최적화했다. 삼성이 원하는 스펙에서 해당 툴이 잘 동작하는지 확인했다.
EDA 툴은 설계한 칩이 특정 파운드리 공정에서 처음 그린대로 잘 작동하는지 살피는 검증 단계에서 쓰인다. 하드웨어 기기가 잡아내지 못하는 결함도 발견한다. EDA 툴이 다양할수록 팹리스 고객사들은 선택의 폭이 넓어지기 때문에 파운드리 업체가 미리 여러 툴을 최적화하는 것이 중요하다.
양사의 협업으로 고객사들은 시놉시스의 퓨전 디자인 플랫폼을 삼성의 3나노 GAA 공정에서 사용할 수 있게 됐다. 설계 툴을 토대로 고성능 컴퓨팅(HPC)과 5세대(5G) 이동통신, 인공지능(AI) 칩 등을 만들 수 있다.
삼성전자는 EDA 툴을 추가해 미세 공정에서 경쟁력을 강화한다. 특히 3나노 공정은 초미세 공정을 둘러싼 삼성전자와 TSMC의 주도권 다툼의 승부처로 꼽힌다.
삼성전자는 내년부터 차세대 트랜지스터 구조인 GAA 기술을 적용해 3나노 반도체를 양산할 계획이다. 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널과 이를 제어하는 게이트로 구분되는데 GAA는 채널의 4면을 게이트가 둘러싸도록 했다. 채널의 3면을 게이트로 쓰는 기존 핀펫 방식보다 전류 흐름을 보다 세밀하게 제어할 수 있다. TSMC는 2나노부터 GAA를 채용하기로 했다.
김상윤 삼성전자 파운드리사업부 디자인 플랫폼 개발실 상무는 "삼성 파운드리는 지속적인 기술 진화로 광범위한 시장 응용 프로그램의 니즈를 충족시키고 인더스트리 혁신을 촉진하고 있다"며 "고급 3나노 GAA 공정이 양사의 광범위한 협력으로 혜택을 입을 것"이라고 밝혔다.
