[더구루=김병용 기자] 중국의 메모리업체들이 올해 하반기 본격적인 양산에 돌입한다. 미국 정부의 제재를 돌파할 수 있는 틈새가 될지 주목되고 있다.

13일 관련 업계에 따르면 D램 제조사인 허페이창신(이노트론)은 지난해 중국 반도체 업체로는 처음으로 8Gb LPDDR4 D램 메모리 생산을 시작했다. 허페이창신은 올해 3분기 정식으로 해당 제품을 출시할 예정이며 연말까지 월 2만장의 생산 능력을 확보한다는 방침이다.

1기 라인에만 494억 위안(약 8조4000억원)을 투자한 허페이창신의 최종 목표는 월간 기준 12만5000만장의 생산 능력 확보이다. 허페이창신은 내년 2기 라인을 착공하고, 이듬해 17나노 공정 기술 개발을 완료하고 2022년부터는 17나노 제품을 본격적으로 양산한다는 계획이다.

허페이창신은 이를 위해 자체 생산 기술을 개발 중이다. ASML, 램리서치, 도쿄 일렉트론 E,D 글로벌 반도체 장비공급 업체와 협력해 연구개발(R&D) 역량을 강화하고 있다. 다만 허페이창신은 특허 침해 논란을 의식해 초기에는 중국 업체 대상으로 제품을 판매할 것으로 알려졌다.

쭈이밍(YiMing Zhu) 허페이창신 회장은 지난달 열린 ‘2019 세계반도체연맹(GSA) 메모리플러스 컨퍼런스’에서 “반도체 기술 R&D 비용으로 25억 달러 이상을 투입했다”고 밝혔다.

미국 정부의 제재로 IT기기 핵심 부품인 반도체 조달에 난항이 예상되는 중국 입장에서는 이를 돌파할 수 있는 무기를 얻은 셈이다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 한국에 대한 반도체 의존도도 낮출 수 있을 것으로 기대하고 있다.

다만 중국 반도체 제조사들이 D램 자체 생산에 첫 걸음을 뗀 만큼 양산 과정에서 시행착오는 피하기 어려울 것으로 보인다. 반도체 시장조사기관 D램익스체인지는 "생산량을 늘리는 ‘램프업’에 시간이 걸리는 만큼 글로벌 D램 시장 구도에는 당장 큰 변화가 없을 것"이라고 밝혔다.