[더구루=정예린 기자] SK그룹이 작년 중국에서 1000건이 넘는 특허를 승인받으며 반도체와 배터리 등 주요 사업 분야와 관련한 특허 확보를 이어갔다. 승인 건수는 전년보다 소폭 줄었지만, 적층형 반도체 공정과 이차전지 소재·제조 기술 등 핵심 기술을 중심으로 특허가 승인된 점이 눈에 띈다.
4일 중국 국가지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난해 1월부터 12월까지 SK그룹 계열사가 출원한 특허 1090건을 승인했다. 이는 2024년 승인 건수(1133건) 대비 43건 감소한 수치로, 감소율은 약 3.8%다.
월별 승인 건수는 △1월 77건 △2월 81건 △3월 72건 △4월 99건 △5월 119건 △6월 162건 △7월 83건 △8월 108건 △9월 69건 △10월 80건 △11월 68건 △12월 72건으로 집계됐다. 12월에는 전년 동월 (82건) 대비 10건 줄어 약 12.2% 감소했다.
12월 승인 특허를 계열사별로 보면 SK하이닉스가 36건으로 가장 많았고, SK온이 22건으로 뒤를 이었다. SK이노베이션과 SK케미칼은 각각 4건, 솔리다임과 SK텔레콤은 각각 3건의 특허를 승인받았다.
SK하이닉스는 적층형 반도체 공정과 차세대 소자 구조를 겨냥한 특허를 확보했다. 승인된 '적층 구조 부분을 포함하는 본딩된 반도체 장치 및 그 제조 방법(특허번호 CN121237660A)'은 다층 적층 과정에서 접합 신뢰성과 전기적 특성을 동시에 확보하기 위한 구조와 제조 공정을 다룬다. 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 적층형 메모리 구현에서 수율과 신뢰성을 좌우하는 핵심 공정 기술로 활용될 수 있는 특허다. 이와 함께 '양자점을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법(특허번호 CN121218864A)'은 소자 내부에 양자점 소재를 적용해 광·전기적 특성을 정밀 제어하는 기술로, 이미지 센서나 차세대 광반응 반도체 소자로의 확장 가능성을 담고 있다.
SK온은 소재와 제조 공정을 동시에 아우르는 특허를 통해 기술을 축적했다. '리튬 이차 전지용 양극 활물질 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지(특허번호 CN121215749A)'는 양극 소재 조성을 통해 에너지 밀도와 수명 특성을 개선하는 데 초점을 맞춘 특허다. '음극 제조 장치 및 음극 제조 방법(특허번호 CN121123187A)'은 소재 기술을 실제 양산 공정으로 연결하는 장비·제조 기술에 해당한다. 소재 특허와 공정 특허를 동시에 확보함으로써 셀 성능뿐 아니라 생산 안정성까지 포괄하려는 전략으로 해석된다.
SK이노베이션은 에너지·환경 공정과 소재 기술을 잇는 특허를 확보했다. '탈황용 고정층 반응기(특허번호 CN121060399A)'는 연료 및 가스 정제 과정에서 황 성분을 효율적으로 제거하기 위한 반응기 구조를 다룬 특허로, 정유·에너지 공정의 환경 규제 대응과 직결되는 기술이다. SK지오센트릭과 공동으로 출원한 '고분자 복합재료의 조성 생성 방법 및 장치(특허번호 CN121191627A)'는 복합 소재의 조성을 체계적으로 설계·최적화하는 기술로, 재활용 소재나 친환경 플라스틱 설계와 연결될 수 있다.
SK하이닉스 미국 자회사 '솔리다임'은 데이터센터용 SSD 운용과 관련한 제어 기술 특허를 승인받았다. '솔리드스테이트드라이브(SSD)에서 무결성 데이터 저장 오버헤드를 제어하는 방법(특허번호 CN121195227A)'은 데이터 신뢰성을 유지하면서도 저장 오버헤드를 최소화하는 제어 기술을 담고 있다. 대용량 SSD 운용 환경에서 성능 저하와 비용 부담을 동시에 줄이기 위한 기술로, 엔터프라이즈 스토리지 시장을 겨냥한 특허로 풀이된다.
SK케미칼은 '배향 폴리에스터 필름 및 그 제조 방법(특허번호 CN121219348A)' 특허를 승인받았다. 필름의 물성을 정밀 제어하는 제조 기술로, 산업·전자용 고기능 필름 소재 적용을 염두에 둔 권리화로 풀이된다. SK텔레콤은 'NF 장치, 단말 장치 및 NF 실행을 위한 전력 최적화 방법(특허번호 CN121220127A)'을 통해 네트워크 기능 가상화 환경에서 전력 효율을 개선하는 기술에 대한 특허를 확보했다. 이는 이동통신 네트워크 운영 비용과 에너지 효율을 동시에 고려한 기술 영역에 해당한다.
