[더구루=정예린 기자] 일본 키옥시아가 162단 낸드플래시 개발에 성공했다. 앞서 미국 마이크론과 SK하이닉스가 176단 낸드를 개발한 데 이어 삼성전자도 올 상반기 170단 이상 낸드 제품 출시를 예고해 적층 경쟁이 치열하다. 

19일 업계에 따르면 키옥시아는 162단 낸드 개발에 성공, 이르면 내년 양산을 시작한다. 이번 제품은 제조 파트너 미국 웨스턴 디지털과 공동 개발했다. 

양사는 생산량 증대를 위해 올 상반기 내 1조 엔(약 10조4700억원)을 들여 일본 욧카이치에 추가 공장을 건설한다. 기존 기타카미 공장 증설도 추진한다. 

키옥시아는 오는 22일까지 온라인으로 열리는 업계 세계 최고권위 학회인 '국제고체로회로학회(ISSCC)'에서 162단 낸드 제품을 첫 공개할 계획이다. 

162단 낸드 제품은 키옥시아의 최신 제품인 112단 낸드 대비 2배 이상 빠른 속도를 자랑한다. 셀이 차지하는 면적도 기존 제품 대비 약 30% 줄였다. 

최근 반도체 업계는 셀을 빌딩처럼 수직으로 쌓아올려 제품 성능을 높이는 '적층 경쟁'을 벌이고 있다. 회로 선폭을 좁히는 미세공정의 경우 한정된 면적에 더 많은 반도체 소자를 구현하는 게 관건인데 기술적 한계가 있다. 반면 적층 기술은 반도체 셀을 수평이 아닌 수직으로 쌓아 상대적으로 기술 극복이 쉬워 용량 확보와 제조원가 절감의 핵심으로 꼽힌다. 

'쌓기 경쟁'에서 가장 먼저 주도권을 잡은 곳은 마이크론이다. 마이크론은 지난해 11월 176단 3D 낸드를 세계 최초 양산한다고 밝혔다. 이에 질세라 SK하이닉스는 다음 달 176단 512Gb(기가비트) TLC 4D 낸드플래시를 개발하고 이미 파트너사에 샘플을 제공했다고 발표했다.

업계에서는 SK하이닉스가 양산 시점은 마이크론에 뒤쳐졌지만 품질은 앞섰다고 보고 있다. SK하이닉스의 176단 낸드는 4D를 기반으로 한다. 4D는 셀의 주변부(페리)회로를 셀 옆이 아닌 아래에 배치해 공간 효율성을 높인 기술이다. 이를 통해 셀이 차지하는 면적을 기존 제품 대비 30% 줄이고 비트 생산성(비트 단위로 환산한 생산량)은 전작 대비보다 35% 높아져 원가 경쟁력을 개선했다. 

삼성전자도 연내 양산을 목표로 종전 128단을 넘어서는 7세대 V낸드를 개발하고 있다. 삼성전자는 지난해 11월 열린 투자자포럼에서 "차세대 V낸드에 투(더블) 스택 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 싱글 스택을 적용해 128단을 쌓는데 투 스택을 적용하면 단순 계산으로 256단 적층도 가능하다"고 말했다.