[더구루=정예린 기자] SK그룹이 중국에서 AI 서버용 메모리와 전고체 배터리 소재를 겨냥한 특허를 집중 확보했다. 반도체 후공정·낸드 안정화 기술과 차세대 배터리 핵심 소재를 앞세워 중국 내 지식재산권(IP) 방어망을 공고히 다질 전망이다.

8일 중국 국가지적재산권국(CNIPA)에 따르면 CNIPA는 지난달 SK그룹 계열사가 2018년부터 올해 2월까지 출원한 특허 155건을 승인했다. 전년 동월(162건) 대비 약 4.3% 줄었으나 지난 2024년 동월(124건)과 비교하면 25% 늘었다.

월별로는 △1월 89건 △2월 64건 △3월 147건 △4월 99건 △5월 145건 △6월 155건으로, 6월 승인 규모가 상반기 중 가장 컸다. 지난 3월 이후 월간 승인 건수가 세 자릿수를 유지하면서 핵심 계열사를 중심으로 특허 확보가 지속되는 모양새다. SK의 상반기 총 특허 승인 수는 699건이다. 

계열사별로는 SK하이닉스가 6월 84건으로 승인 특허의 절반 이상을 차지했다. SK온도 47건을 승인받아 양사의 합산 비중은 6월 전체의 약 84.5%에 달했다. 이어 △SK이노베이션(10건) △SK넥실리스(10건) △솔리다임(3건) △SK라이프사이언스랩 산하 온코피아 테라퓨틱스(3건) △SK텔레콤(1건) △SK플래닛(1건) △SK케미칼(1건) 등이 뒤를 이었다.

SK하이닉스는 미세공정 한계 극복을 위한 반도체 기판 및 후공정 패키징 원천 기술 확보에 집중했다. '절연체 위 실리콘 기판 제조 방법(특허번호 CN122270127A)'은 누설 전류를 제어해 반도체 동작 속도를 높이는 차세대 기판 공법으로 활용될 가능성이 크다. 적층 구조의 물리적 안정성을 더하는 '반도체 패키지 제조 방법(특허번호 CN122294972A)' 솔루션과 연계되어 향후 고성능 컴퓨팅 환경에 최적화된 반도체 기반을 제공할 것으로 관측된다.

대용량 비휘발성 저장장치의 신뢰성을 잡기 위한 회로 제어 기술도 보강했다. '공통 소스 라인 바운스를 최소화하는 비휘발성 메모리 장치 및 조작 방법(특허번호 CN122314056A)'은 데이터 읽기·쓰기 시 발생하는 전압 변동을 제어함으로써 신호 간섭을 완화하는 데 초점을 맞춘다. 대형 AI 데이터센터 등 가혹한 구동 환경에서 연산 오차를 최소화하고 고속 동작의 안정성을 확보하는 핵심 제어 기법으로 쓰일 수 있다.

낸드플래시 솔루션 부문에서는 자회사 솔리다임과의 고도화 협력을 통해 시너지를 모색한다. 양사가 공동 확보한 '스토리지 시스템 내 오류 조건 모니터링(특허번호 CN122249796A)'은 대규모 저장 장치의 시스템 오류를 실시간 추적해 데이터 유실을 미연에 방지하는 구조를 제안한다. 

SK온은 전기차 시장 돌파구로 차세대 전고체 배터리와 고용량 음극재 기술 선점에 무게를 뒀다. '황화물계 고체 전해질, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전고체 배터리(특허번호 CN122246240A)'는 화재 위험이 낮은 황화물계 고체 전해질을 합성해 리튬이차전지의 안전성을 보완하는 원천 기술로 꼽힌다. 배터리 용량 한계를 극복하기 위해 실리콘-탄소 복합체를 적용한 '실리콘 탄소를 포함하는 전극 재료, 그 제조 방법 및 해당 전극 재료를 포함하는 이차전지(특허번호 CN122314813A)'의 경우 부피 팽창 문제를 제어함으로써 수명 단축 없는 고밀도 급속 충전 배터리 구현을 뒷받침할 전망이다.

SK이노베이션은 내부 단락을 방지하는 '화합물, 해당 화합물을 사용하여 제조된 이온 전도성 폴리머 및 해당 화합물을 사용해 제조된 분리막(특허번호 CN122145280A)' 권리를 확보했다. SK넥실리스의 '동박, 이를 포함하는 전극, 이를 포함하는 이차전지 및 그 제조 방법(특허번호 CN122314904A)'과 유기적으로 연결되어 배터리 밸류체인 전반의 조립 수율을 개선하는 데 활용될 것으로 관측된다.