[더구루=오소영 기자] 미국 마이크론이 올해 2세대 고대역폭 메모리(HBM2)를 출시한다. 자율주행차와 머신러닝 등의 발달로 데이터 처리 속도가 향상된 HBM 시장이 커지면서 삼성전자, SK하이닉스 등 반도체 업체 간 패권 장악을 위한 불꽃 튀는 접점이 관측된다.

2일 업계에 따르면 마이크론은 연내에 HBM2를 선보인다. 세부 사양은 공개되지 않았으나 10나노급(1y 또는 1z) 미세 공정 기술을 적용해 생산된다.

HBM은 반도체 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극으로 연결, 데이터 처리 속도를 끌어올린 메모리다. 이론적으로 최고급 D램보다 처리 속도 7배, 전력 효율 40% 이상 높일 수 있다.

마이크론은 그동안 HBM 대신 저전력 메모리인 '하이브리드 메모리 큐브(HMC)' 개발에 힘써왔다. HMC는 D램을 적층 구조로 쌓아 처리 속도를 높인 제품이다. 마이크론은 HMC 프로토타입 샘플을 선보이고 소량 양산해왔지만 2018년 이후 HBM 중심으로 전략을 재편하고 있다. HBM에 비해 생산성이 떨어지고 HMC를 쓰던 인텔마저 HBM을 탑재하면서 사업 방향을 선회한 것으로 보인다.

마이크론이 가세하면서 HBM 시장을 둘러싼 반도체 업계의 경쟁도 치열해질 전망이다. 현재 전체 D램 시장에서 HBM이 차지하는 비중은 한 자릿수에 불과하다. 하지만 슈퍼컴퓨터와 자율주행차, 머신러닝, 인공지능(AI) 등의 확산으로 대용량 데이터 처리 요구가 커지며 향후 수요는 증가할 전망이다. 평균 가격 또한 일반 D램보다 3~5배가량 비싼 만큼 수익성 측면에서도 HBM이 높다.

HBM 시장은 삼성전자와 SK하이닉스가 선도하고 있다. SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM을 선보였다. 2015년부터 양산해 미국 AMD와 엔비디아에 공급했다.

1세대 제품을 SK하이닉스가 먼저 양산했다면 2세대는 삼성전자가 앞섰다. 삼성전자는 2016년 1세대 규격보다 2배 빠른 속도를 갖춘 HBM2를 양산했다. 지난 2월에는 HBM2E D램 '플래시볼트'를 출시한 바 있다. 기존 제품보다 용량은 2배, 속도는 1.3배 향상됐다. SK하이닉스는 작년 8월 HBM2E 개발을 마쳐 올해부터 본격 양산한다.