[더구루=정예린 기자] 반도체 국산화를 추진하고 있는 중국이 3세대 반도체로 눈을 돌리고 있다. 기존 분야에서는 경쟁력이 없다고 판단, 차세대 반도체 기술 개발에 역량을 쏟아 주도권을 확보하겠다는 전략이다. 

21일 업계에 따르면 중국 정부는 3세대 반도체를 미국 제재 돌파와 경제성장 동력으로 낙점하고 정책 지원을 활발하게 추진하고 있다. 현지 기업들도 정부 움직임에 발맞춰 대규모 투자를 통해 3세대 반도체 개발 프로젝트에 착수했다. 

3세대 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반 기술에서 벗어나 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaZ) 등 화합물 반도체 소재로 만든 전력 반도체다. 소재 특성상 고열과 고전압에 강하고 부품 경량화에 효율적이라는 강점이 있어 전기차나 5G 통신장비 부품으로 각광받고 있다. 

중국 정부가 3세대 반도체 산업 육성에 적극적으로 나서는 것은 오는 2025년까지 자급률 70%를 달성하겠다는 반도체 국산화 정책이 지지부진하기 때문이다. 현지 생산량이 늘고 있긴 하지만 중국에 생산시설을 둔 삼성전자와 SK하이닉스, 인텔, TSMC 등 해외 기업의 비중이 높아 진정한 의미의 자급자족에는 실패했다는 평가다. 반도체 제조 장비의 선적 지연도 낮은 자급률의 주요 원인 중 하나로 꼽힌다. <본보 2021년 10월 13일 참고 중국 반도체 자급률, 삼성·SK 제외하면 6% 불과>

공식 석상에서 3세대 반도체 산업에 대한 발전 의지를 드러내기도 했다. 지난 3월 열린 중국 최대 정치행사 양에서 왕웬인 정협 위원은 14차 5개년(2021~2025년) 경제·사회 개발 계획과 2035년 중장기 비전을 확정하는 중요한 발전 방향으로 3세대 반도체를 꼽으며 충분한 지원을 촉구했다. 

기업들도 적극 동참하고 있다. 지난해 기준 14개 사업·산업단지 관련 800억 위안 이상의 계약이 체결됐다. 대표적인 기업은 산안 광전, 루샤오, 톈커허다 반도체, 스다 반도체 등이다. 이들 기업은 최근 2~3년간 영업이익을 개선하고 있다. 또 3세대 반도체는 미국 정부의 제재가 없어 CREE, Rohm 등 글로벌 기업들과 협력을 통한 공동전선도 구축하고 있다. 

다만 중국 3세대 반도체 웨이퍼 제조기술은 현재 4인치 중심으로 6인치, 8인치 위주인 글로벌 시장 평균과는 격차가 존재한다. 또 발표되는 투자 계획과 실제 실행되는 투자 규모가 차이가 있다는 점 또한 해결해야 할 과제로 꼽힌다.