[더구루=오소영 기자] 독일 인피니언이 일본 파나소닉과 차기 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발에 손을 잡았다. 2023년 상반기 출시를 목표로 하며 연평균 70%의 고성장이 예상되는 GaN 전력반도체 시장을 선점한다.

8일 업계에 따르면 인피니언은 파나소닉과 2세대 GaN 전력반도체 개발·생산을 위한 파트너십을 체결했다.

양사는 실리콘 위에 GaN 단결정 막을 성장시켜서 만든 'Gan-온-실리콘' 기술을 토대로 GaN 고전자이동도트랜지스터(HEMT)를 개발한다. 2세대 제품은 650V급으로 8인치 웨이퍼를 기반으로 한다. 통신·가전에 쓰이는 고·저전력 스위칭모드 전원공급장치(SMPS), 모터 드라이버, 재생에너지 분야에 다양하게 활용될 전망이다.

인피니언과 파나소닉은 앞서 Gan-온-실리콘 기술을 적용해 1세대 GaN 전력반도체를 만들었다. 인피니언의 CoolGaN™, 파나소닉의 X-GaN™로 불린다. 2세대 제품 생산으로 협력을 이어가며 GaN 전력반도체 시장을 공략한다.

GaN 전력반도체 두 개 이상의 원소가 결합한 화합물 반도체다. 단일 원소인 실리콘(Si) 반도체에 비해 열에 강해 고전압에서 잘 버틴다. 전력을 75% 덜 소비해 높은 효율을 자랑하며 성능도 우수하다. 스마트폰 고속충전기와 5세대(5G) 이동통신, 가전, 자동차 등에 활용되며 시장이 급성장하고 있다.

시장조사업체 욜디벨롭먼트는 GaN 전력반도체 시장이 매년 70%씩 성장할 것으로 예상했다. 지난해 4600만 달러(약 534억원)에서 2026년 11억 달러(약 1조2790억원)의 규모를 확대될 전망이다.

안드레아스 우르쉬츠(Andreas Urschitz) 인피니언 전력·센서 시스템 사업 담당은 "1세대와 동일하게 높은 신뢰성을 가지며 8인치 웨이퍼로 생산돼 고객은 트랜지스터를 훨씬 쉽게 제어하고 비용 측면에서도 이점을 얻을 수 있다"라고 밝혔다.

테쓰조 우에다(Tetsuzo Ueda) 파나소닉 산업용 솔루션의 엔지니어링 담당은 "인피니언과 협력을 확장해 기쁘다"며 "혁신 기술을 기반으로 고품질 제품을 개발할 수 있을 것"이라고 자신했다.