[더구루=홍성일 기자] 미국 반도체 설계자산 업체 램버스가 차세대 HBM3 메모리의 스펙을 공개했다. 

램버스는 17일(현지시간) 차세대 HBM3 메모리는 최대 8.4Gbps I/O 속도와 1.075TB/s 대역폭을 제공할 것이라고 밝혔다. 이는 램버스가 개발한 HBM2E의 3.2Gbps, 460GB/s의 두배를 뛰어넘는 성능이다.

램버스는 차세대 HBM3 메모리 성능을 달성하기 위해 2.5D 메모리 시스템 아키텍처 설계 기술을 활용할 계획이다. 2.5D 패키징은 HBM과 시스템온칩(SoC)을 미세회로 기판인 실리콘 인터포저 위에 함께 집적하는 기술이다. 각각의 칩을 1개의 패키지 안에 배치해 전송 속도를 높이고 면적을 줄이는 장점이 있다.

램버스의 차세대 HBM3 메모리는 PHY(가용 물리계층)과 디지털 컨트롤러를 완전히 통합해 설계 복잡성을 줄이고 고객사에는 인터포저 및 패키지 참조 설계도 제공해 출시까지 소요되는 시간은 단축할 수 있도록 한다. 

램버스가 HBM에 집중하는 것은 기존 D램보다 처리속도와 전력효율면에서 높은 성능을 낼 수 있기 때문이다. HBM은 반도체 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극으로 연결, 데이터 처리 속도를 끌어올린다. 이론적으로 최고급 D램보다 처리 속도 7배, 전력 효율 40% 이상 높일 수 있다.

이런 특성때문에 슈퍼컴퓨터와 자율주행차, 머신러닝, 인공지능(AI) 등의 확산으로 대용량 데이터 처리 요구가 커지며 수요가 급증할 것으로 전망되고 있다. 이에 램버스 뿐 아니라 삼성전자, 하이닉스, 마이크론 등 기존 D램 시장 강자들도 기술 개발에 속도를 내고 있다. 

램버스 관계자는 "우리 HBM3 시스템은 설계상 가장 까다로운 대역폭을 제공할 수 있다"며 "AI, 머신러닝을 위한 최적화된 설계를 가능하게 할 것"이라고 말했다.