[더구루=오소영 기자] 미국 네오반도체(NEO Semiconductor)가 속도와 용량, 비용 모두 개선한 차세대 X-낸드(NAND)의 상용화에 박차를 가한다. 미국에서 관련 특허를 받고 삼성전자, SK하이닉스 등 글로벌 반도체 기업들과 협력을 꾀하고 있다.

10일 업계에 따르면 네오반도체는 지난 5일(현지시간) 미국 특허청(USPTO)에서 낸드플래시 특허 2개를 획득했다.

두 특허는 '낸드플래시 메모리를 위한 방법 및 장치'라는 제목으로 낸드플래시를 프로그래밍하는 새로운 방법을 담고 있다. 버퍼링, 읽기·쓰기 등 여러 기술을 포함한다.

업계는 두 특허가 네오반도체가 개발 중인 X-낸드와 관련이 있을 것으로 보고 있다. X-낸드는 네오반도체가 지난해 온라인으로 열린 '플래시 메모리 서밋'에서 공개한 기술이다. 싱글 레벨 셀(SLC) 낸드플래시의 빠른 속도와 쿼드 레벨 셀(QLC) 낸드플래시의 고용량을 동시에 제공한다.

순차 읽기는 27배, 순차 쓰기는 15배, 랜덤 읽기·쓰기는 3배 더 빠르다. 다이 크기는 최대 33% 줄일 수 있어 비용 절감이 가능하다. 속도와 처리량, 비용의 강점을 지니며 5세대(5G) 이동통신과 인공지능(AI), 머신러닝(ML) 등에 최적화된 차세대 낸드플래시라는 게 네오반도체의 설명이다.

네오반도체는 이번에 취득한 특허를 토대로 반도체 회사들과 라이선스 계약을 맺고 X-낸드 시장을 키우겠다는 전략이다. 세계 낸드플래시 시장을 주름잡는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등과의 협력 여부도 주목된다.

한편, 네오반도체는 미국 캘리포니아에 2012년 설립됐다. 인메모리 디자인 아키텍처 등에 관한 미국 특허 22개를 보유하고 있다. 2018년 X-낸드를 선보이며 3차원(3D) 낸드플래시 아키텍처 개발에 속도를 내고 있다.