[더구루=오소영 기자] 대만 TSMC가 3나노미터(㎚·10억분의 1ｍ) 반도체 생산을 위한 장비 설치에 착수했다. 내년 양산에 드라이브를 걸며 글로벌 파운드리 시장에서 독주 굳히기에 나섰다.

TSMC는 지난 2일(현지시간) 대만 타이난 팹 18에서 3나노 반도체 생산에 필요한 장비 설치에 돌입했다.

TSMC는 작년 8월 온라인으로 열린 '기술 심포지엄'에서 "2021년 3나노 반도체의 위험생산(Risk production)에 돌입하고 2022년 양산을 시작하겠다"고 밝힌 바 있다. 위험생산은 고객으로부터 칩 생산 의뢰를 받지 않은 상태에서 반도체 팹이 먼저 시험적으로 생산하는 과정을 뜻한다.

계획은 차질없이 진행되고 있다. TSMC는 작년 3월 7000억 대만달러(약 28조8200억원)를 퍼부어 3나노 반도체 공장 건설에 들어갔다. 올해에도 150억 달러(약 17조2560억원) 이상 쏟으며 생산라인 구축에 박차를 가하고 있다.

3나노 반도체는 5나노보다 소비전력을 최대 30% 감소시키고 성능을 최대 15% 향상시킨다. 칩 면적도 5나노 제품과 비교해 35% 이상 줄어들어 인공지능(AI)과 5세대(5G) 이동통신, 자율주행차, 클라우딩 컴퓨터 등 다양한 분야에 쓰일 전망이다.

TSMC는 이미 고객사를 상당수 확보했다. 아이폰14 탑재가 예상되는 애플의 'A16 바이오닉‘은 TSMC의 3나노 공정에서 생산된다. TSMC는 애플과 인텔에 3나노 공정으로 만든 칩을 제공하고 성능 테스트를 진행했다. AMD와 엔비디아, 자일링스, 퀄컴 등도 3나노 고객사 명단에 들었다.

TSMC가 3나노 반도체 생산 채비에 나서며 미세 공정을 둘러싼 업계 경쟁은 치열해지고 있다.

삼성전자는 TSMC와 같은 내년 하반기 3나노 양산을 목표로 하고 있다. 게이트올어라운드(Gate All Around·GAA) 기술을 적용해 기존 핀펫(FinFET) 기술을 쓴 TSMC보다 경쟁력을 갖춘다는 전략이다. GAA는 게이트가 채널 4면을 둘러싸도록 해 더 세밀하게 전류를 조정하고 전력 효율을 높일 수 있는 기술이다. 발열이나 전력 누설 문제도 해소할 수 있다.

삼성전자는 지난달 29일 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "3나노 1세대 공정의 경우 현재 주요 고객사가 제품 설계를 진행 중"이라며 "2023년에는 3나노 2세대 공정을 목표로 공정 개발을 추진하고 있다"라고 밝혔었다.